CCD傳感器與CMOS傳感器在結構，性能和技術上有所不同。在這里，我將對兩者進行簡單的比較，以便大多數(shù)讀者可以對CCD和CMOS有所了解。

　　CCD和CMOS傳感器是當前最常用的數(shù)字圖像傳感器，廣泛用于數(shù)碼相機，數(shù)碼攝像機，照相手機，照相機和其他產品中。兩者在結構，性能和技術上都不相同。在這里，我將對兩者進行簡單的比較，以便讀者可以對CCD和CMOS有所了解，并且在購買相關產品時也可以這樣做。心里知道。

　　一，CCD傳感器與CMOS傳感器的性能比較

　　ISO感光度：由于CMOS的每個像素均由四個晶體管和一個光電二極管組成，因此它還包含放大器和數(shù)模轉換電路。太多的附加設備會減少單個像素的感光區(qū)域的表面積，因此在相同像素，相同尺寸的情況下，CMOS的感光度將低于CCD。

　　分辨率：由于CMOS傳感器的每個像素都比CCD傳感器復雜，因此其像素大小很難達到CCD傳感器的水平。因此，當我們比較相同尺寸的CCD和CMOS時，CCD傳感器的分辨率通常要優(yōu)于CMOS傳感器。

　　噪聲：由于CMOS的每個光電二極管都需要配備一個放大器，因此，如果以百萬像素為單位，則需要超過一百萬個放大器。該放大器是一個模擬電路，很難使每個放大器獲得的結果保持一致。因此，與僅在芯片邊緣放置一個放大器的CCD傳感器相比，CMOS傳感器的噪聲會增加很多，從而影響圖像質量。

　　功耗：CMOS傳感器的圖像獲取方法已激活，光電二極管產生的電荷將被直接放大并由其旁邊的晶體管輸出；CCD傳感器為被動采集時，必須施加電壓以使每個像素中的電荷移動到傳輸通道。施加的電壓通常需要12?18V，因此CCD必須具有更精確的電源電路設計和耐壓性。高驅動電壓使CCD的功耗大大高于CMOS的功耗。CMOS的功耗僅為CCD的1/8至1/10。

　　成本：由于CMOS傳感器在一般的半導體電路中使用最常用的CMOS工藝，因此外圍電路（例如AGC，CDS，定時發(fā)生器或DSP等）可以輕松集成到傳感器芯片中，因此可以降低外圍芯片的成本被保存；而CCD使用電荷轉移的方法轉移數(shù)據(jù)。只要不能操作像素之一，就不能傳輸整行數(shù)據(jù)。因此，與CMOS傳感器相比，控制CCD傳感器的成品率要困難得多，即使是經驗豐富的制造商也很難推出產品。因此，在半年之內突破50％的水平，CCD傳感器的制造成本將高于CMOS傳感器。

　　二，CCD傳感器的特點

　?、僬{制傳遞函數(shù)MTF特性：固態(tài)圖像傳感器由像素矩陣和相應的傳遞部分組成。盡管已將固態(tài)像素做得很小，并且它們的間隔也很小，但這仍然是識別微小圖像或再現(xiàn)圖像微小部分的主要障礙。

　?、谳敵鲲柡吞匦裕寒敵^飽和曝光的強光圖像照射在圖像傳感器上時，傳感器的輸出電壓將飽和。這種現(xiàn)象稱為輸出飽和特性。輸出飽和現(xiàn)象的根本原因是光電二極管或MOS電容器只能產生并積累一定限度的光生信號電荷。

　?、郯递敵鎏匦裕喊递敵鲆卜Q為無照明輸出，是指暗淡的圖像

　　當CCD傳感器信號點亮時，傳感器仍具有輸出較小的特性，并且輸出來自暗（未點亮）電流。

　?、莒`敏度：單位輻照度產生的輸出光電流表示固態(tài)圖像傳感器的靈敏度，這主要與固態(tài)圖像傳感器的像素大小有關。

　?、奚ⅲ猴柡推毓庖陨系倪^亮光圖像會在像素中生成并積累過飽和的信號電荷。此時，過飽和電荷將從一個像素的勢阱通過基板擴散到相鄰像素的勢阱。這樣，再現(xiàn)圖像中不應顯示一定亮度的部分將顯示亮度。這種情況稱為分散現(xiàn)象。

　?、逇埾瘢涸趻呙枘硞€像素并讀出其信號電荷后，將下一次掃描后的讀出信號仍受上次信號電荷影響的現(xiàn)象稱為殘像。

　　⑦等效噪聲暴露：暗輸出（電壓）等效時的暴露稱為傳感器的等效噪聲暴露。